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太陽(yáng)能板

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  • 太陽(yáng)能電池板聚光光伏發(fā)電的優(yōu)點(diǎn)

    太陽(yáng)能板廠家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司為你提供太陽(yáng)能電池板聚光光伏發(fā)電的優(yōu)點(diǎn)　　和晶體硅及薄膜太陽(yáng)電池相比，聚光光伏技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn)。　　(1)發(fā)電效率高　　高倍聚光太陽(yáng)電池效率超過(guò)40%，系統(tǒng)總效率約為29%
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-21   點(diǎn)擊次數(shù)：4861

  • 聚光光伏部件組成及聚光光伏發(fā)電的缺點(diǎn)

    　陽(yáng)光與電能同行，迪晟與您相伴！太陽(yáng)能板廠家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司，為你揭秘聚光光伏部件組成　　聚光光伏系統(tǒng)與普通固定式平板光伏系統(tǒng)相比,平衡系統(tǒng)(BOS)等都基本相同，只是前級(jí)的方陣形式不一樣。一般平板式太陽(yáng)電池方陣由太陽(yáng)電池組件
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-21   點(diǎn)擊次數(shù)：4034

  • 聚光太陽(yáng)能電池板-單晶硅太陽(yáng)能電池板

    　聚光太陽(yáng)能電池板　　與一般的光伏系統(tǒng)不同，在聚光光伏系統(tǒng)中，太陽(yáng)電池在高強(qiáng)度的太陽(yáng)光和高溫度的條件下工作，通過(guò)的電流要比普通太陽(yáng)電池大很多倍，所以對(duì)電池也有特殊的要求。　　單晶硅太陽(yáng)電池　　由于單晶硅太陽(yáng)電池性能穩(wěn)定，價(jià)格相
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-21   點(diǎn)擊次數(shù)：3173

  • Ⅲ- V族多結(jié)太陽(yáng)電池

    　半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)技術(shù)為現(xiàn)代物理做出了巨大貢獻(xiàn)。異質(zhì)結(jié)，尤其是雙異質(zhì)結(jié)包括量子阱、量子線量于點(diǎn)的研究占據(jù)了半導(dǎo)體物理研究的2/3。異質(zhì)結(jié)通過(guò)摻入不同的雜質(zhì)來(lái)控機(jī)生導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率。異質(zhì)結(jié)可以控制半導(dǎo)體晶體和器件的基本參數(shù);如帶隙電荷
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-21   點(diǎn)擊次數(shù)：4151

  • 非晶硅太陽(yáng)電池發(fā)展簡(jiǎn)史

    20世紀(jì)70年代初,非晶硅薄膜初由R.C. Chitteck等人通過(guò)PECVD沉積獲得。1976年,RCA實(shí)驗(yàn)室的Cave與ChrisWronski制作了效率為2.4%的塊非晶硅薄膜太陽(yáng)電池。1979年，Us
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-20   點(diǎn)擊次數(shù)：3993

  • 太陽(yáng)能光伏發(fā)電應(yīng)用技術(shù)-單結(jié)非晶太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)

    太陽(yáng)能光伏發(fā)電應(yīng)用技術(shù)-單結(jié)非晶硅太陽(yáng)電池　　在非晶硅材料中，硅原子按照一定的鍵長(zhǎng)和鍵角相互間以無(wú)序方式結(jié)合形成四面體結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)中存在許多懸掛鍵，通過(guò)氫原子可以與懸掛鍵結(jié)合使之鈍化，形成氫化非晶硅(a-Si:
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-20   點(diǎn)擊次數(shù)：3638

  • 非晶硅太陽(yáng)電池的衰減及可靠性

    　長(zhǎng)期以來(lái)，影響非晶硅太陽(yáng)電池推廣應(yīng)用的主要障礙一是效率偏低， 二是性能衰減問(wèn)題。前者隨著技術(shù)的發(fā)展，通過(guò)采用新型的材料、結(jié)構(gòu)、工藝等手段，逐漸有所改善;后者則還需要從形成機(jī)理、影響因素等多方面加以深入研究。　　a-Si:H的電導(dǎo)率和光
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-20   點(diǎn)擊次數(shù)：3848

  • 用事實(shí)說(shuō)話，各種測(cè)試非晶硅太陽(yáng)電池光致衰減的現(xiàn)象

    基于以上各種測(cè)試非晶硅太陽(yáng)電池光致衰減的現(xiàn)象，取適當(dāng)?shù)哪Ｐ陀糜?jì)算機(jī)模擬分析及大量的實(shí)驗(yàn)也得出類似的結(jié)果，其主要結(jié)論有以下幾點(diǎn):　　①光誘導(dǎo)在非晶硅中所產(chǎn)生的缺陷與沉積非晶硅時(shí)所產(chǎn)生的缺陷不同，差別在于前
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-20   點(diǎn)擊次數(shù)：7588

  • 關(guān)于銅銦鎵硒( CIGS)太陽(yáng)電池真相究竟如何？

    　薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率通常不如晶體硅電池，因此應(yīng)用范圍受到影響。深圳太陽(yáng)能板廠家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司，目前在薄膜電池中效率高的是銅銦鎵硒太陽(yáng)電池，而且還在繼續(xù)上升，其性能穩(wěn)定，不含有毒物質(zhì)，成本又比晶體硅電池低，具有廣闊的發(fā)展前景。業(yè)
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-20   點(diǎn)擊次數(shù)：7769

  • 關(guān)于本征半導(dǎo)體、摻雜半導(dǎo)體的注意事項(xiàng)

    當(dāng)禁帶寬度Eg,比較小時(shí),隨著溫度上升，從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶的電子數(shù)增多,同時(shí)在價(jià)帶產(chǎn)生同樣數(shù)目的空穴,這個(gè)過(guò)程叫做電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生。室溫條件下能產(chǎn)生這樣的電子-空穴對(duì)，并具有一定電導(dǎo)率的半導(dǎo)體叫做本征半導(dǎo)體，它是極純
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-19   點(diǎn)擊次數(shù)：8292

  • 太陽(yáng)能光伏發(fā)電應(yīng)用技術(shù)-P型和N型半導(dǎo)體

    太陽(yáng)能光伏發(fā)電應(yīng)用技術(shù)-P型和N型半導(dǎo)體　　1.N型半導(dǎo)體　　如果在純凈的硅晶體中摻人少量的5價(jià)雜質(zhì)磷(或砷、銻等),由于磷的原子數(shù)目比硅原子少得多,因此整個(gè)結(jié)構(gòu)基本不變，只是某些位置上的硅原子被磷原子所取代。由于磷原子具有5個(gè)價(jià)電子，所
    發(fā)布時(shí)間：2018-06-19   點(diǎn)擊次數(shù)：3794

  • 太陽(yáng)能板廠家-多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)

    　多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)　　如果將P型和N型半導(dǎo)體兩者緊密結(jié)合，連成一體，導(dǎo)電類型相反的兩塊半導(dǎo)體之間的過(guò)渡區(qū)域，稱為P-N結(jié)。在PN結(jié)兩邊，P區(qū)內(nèi)，空穴很多， 電子很少;而在N區(qū)內(nèi)，則電子很多，空穴很少。因此，在P型和N
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