深圳太陽能板廠家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司，詳細(xì)敘述非晶硅太陽電池的高效率化

    非晶硅太陽能電池板的發(fā)電層，即I層的膜質(zhì)量不僅對(duì)太陽電池的初期特性有影響，對(duì)光衰減特性也有很大影響。I層一般采用a-Si: H，單結(jié)太陽電池的太陽光譜靈敏度除涂層吸收的影響外，主要受I層光學(xué)的禁帶寬度以及膜厚度的制約。當(dāng)光學(xué)的禁帶寬度一定時(shí)，I層越厚，越能有效吸收太陽光;然而I層內(nèi)電場(chǎng)較弱部分則與載流子的輸送特性降低有關(guān)。相反，若厚度越薄，I層整個(gè)區(qū)域內(nèi)都存在強(qiáng)電場(chǎng)，填充因子就會(huì)改善，但是通過低光吸收會(huì)帶來短路電流下降。由兩者的平衡來決定I層的佳膜厚。

　　非晶硅太陽能電池板形成用的等離子CVD裝置的變遷。開發(fā)起初用的是在較低真空條件下，使半導(dǎo)體層全部在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)形成的單室方式。 但是，I層中的氧和氮等雜質(zhì)混入P層和N層的摻雜層等會(huì)使a-Si: H膜的膜質(zhì)量下降。為了降低雜質(zhì)量，提出使各層在不同反應(yīng)室成膜的連續(xù)分離形成方式。再進(jìn)一步，又提出其發(fā)展型，即超高真空型分離形成裝置。這是為了防止各層間的污染，需要使PI-N各層的反應(yīng)室完全獨(dú)立。另外，可以抑制反應(yīng)室壁的脫氣作用，提高真空度，通過提供的高純度氣體，可能會(huì)有效地減少a-Si: H膜中的雜質(zhì)量，氧和碳約為2X1018原子/cm-3，氮約為1017原子/cm3，與以前的單室方式反應(yīng)裝置相比，能使雜質(zhì)大幅度降低10%以上。

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