太陽(yáng)能板廠家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司，有關(guān)于太陽(yáng)能逆變器的發(fā)展沿革

　　太陽(yáng)能逆變器是一種具有廣泛用途的電力電子裝置。逆變器的原理外在20世紀(jì)60年代就已被發(fā)現(xiàn)，在1931年的文獻(xiàn)中就曾提到過(guò)這項(xiàng)技術(shù)。1948年，美國(guó)西屋公司(Westing House)介紹用汞(水銀)弧整流器得到3000hz感應(yīng)加熱的變頻頓方法。直到 1957年以前，逆變器都是用汞弧整流器或閘流管制成，不僅體積大，而且可靠性也差，因此設(shè)有得到普遍應(yīng)用，1957年可控硅問世，1958年將200V、50A的可控硅用于工業(yè)，逆變器才開始有所進(jìn)展，隨著可控硅產(chǎn)量和質(zhì)量的提高，到1960年以后逆變器的應(yīng)用開始得到普通推廣。可控硅是一種靜態(tài)固體開關(guān)，其電氣特性和過(guò)去的閘流管及汞弧整流器相似，但它有后者沒有的優(yōu)點(diǎn)。

　　①相對(duì)于同樣的負(fù)載能力而言，可控硅的體積小，重量輕，工作可靠，維護(hù)簡(jiǎn)單，使用壽命長(zhǎng)，結(jié)構(gòu)堅(jiān)固，不易受機(jī)械振動(dòng)和沖擊的影響。

　　②功率放大倍數(shù)大 可控硅的放大倍數(shù)在104以上， 比旋轉(zhuǎn)機(jī)組(101) 要高3個(gè)數(shù)量級(jí)，比汞弧整流器(103) 要高1個(gè)數(shù)量級(jí)。

　　③響應(yīng)速度快 旋轉(zhuǎn)機(jī)組的響應(yīng)速度是秒級(jí)，可控硅和汞弧整流是毫秒級(jí)。

　　④功耗小，效率高 可控硅的正向壓降小(約1V)，故損耗小，其空載損耗約0.6%，滿載損耗小于1%。

　　⑤可控硅的可靠性高，故障率為10-8/h~10 -6/h.

　　由于以上這些優(yōu)點(diǎn)，可控硅在逆變器中得到廣泛應(yīng)用。但是可控硅有它的缺點(diǎn)。如可控硅元件一旦被觸發(fā)，必須進(jìn)行強(qiáng)迫開斷，屬半可控元件。因此，20世紀(jì)70年代初有兩種器件迅速發(fā)展起來(lái)，一種是功率晶體管，即GTR;另外一種叫做門極可關(guān)斷晶閘管，即GTO。

　　GTO除可用門極進(jìn)行可控硅的自身開關(guān)外，其他特性與普通可控硅基本一致。這種器件目前主要用于容較大的電力電子裝置中。GTR與普通可控硅的開關(guān)特性比較。

　　當(dāng)前，電力半導(dǎo)體器件的開發(fā)生產(chǎn)有了突飛猛進(jìn)的進(jìn)展，電力半導(dǎo)體器件是高效遞變電源的基礎(chǔ)元件，目前正向模塊化、快速化、高頻化、大容量化和智能化發(fā)展、其產(chǎn)業(yè)化的水平是，可關(guān)斷晶閘管(GTO) 為4500V，4000A1絕緣柵雙極晶體管(IGBT)初期為1700V、600A，現(xiàn)今正向電壓承受能力可達(dá)6800V，導(dǎo)流電流可達(dá)6000A，它的數(shù)干瓦到數(shù)十千瓦的智能歷率模塊(IPM)已經(jīng)問世。光觸發(fā)晶闡管為5000V、4000A.應(yīng)該指出的是，這些電力電子器件是不同時(shí)期開發(fā)出來(lái)的，各有其應(yīng)用領(lǐng)域，其中，IGBT目前主要應(yīng)用于低壓的中、大功率變頻器。

　　核心半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展始終主導(dǎo)著逆變器行業(yè)的過(guò)去、現(xiàn)在和未來(lái)。正是由于上述這些元件的發(fā)展，使光伏發(fā)電系統(tǒng)所用的道變器實(shí)現(xiàn)了小型化、模塊化、高頻化、高性能化。事實(shí)上，逆變器在許多領(lǐng)域中的應(yīng)用也逐漸興盛起來(lái)。逆變器的主要應(yīng)用范圍如下。

　　①在人造衛(wèi)星、導(dǎo)彈、核武器、潛艇上將太陽(yáng)電池、燃料電池或其他化學(xué)電池的直流電能變換成交流電能;

　　②工業(yè)上應(yīng)用于超聲波設(shè)備、高檔醫(yī)療設(shè)備、中頻加熱設(shè)備、交流傳動(dòng)裝置或其他裝置、化學(xué)儀表電源等方面;

　　③用于衛(wèi)星地面通信站、氣象中心、數(shù)據(jù)處理中心、指揮中心、控制中心等，可作為交流不停電供電系統(tǒng)或備用電源;

　　④用于機(jī)車的牽引電源等。

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