準(zhǔn)單晶技術(shù)總結(jié)

　　一，準(zhǔn)單晶的概念

　　準(zhǔn)單晶（Mono Like ）是基于多晶鑄錠的工藝，在長(zhǎng)晶時(shí)通過部分使用單晶籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶硅片。這種通過鑄錠的方式形成單晶硅的技術(shù)，其功耗只比普通多晶硅多5%，所生產(chǎn)的單晶硅的質(zhì)量接近直拉單晶硅。簡(jiǎn)單地說，這種技術(shù)就是用多晶硅的成本，生產(chǎn)單晶硅的技術(shù)。

　　二，準(zhǔn)單晶的生產(chǎn)工藝

　　準(zhǔn)單晶主要有兩種鑄錠技術(shù)：

　　（1）無籽晶鑄錠。無籽晶引導(dǎo)鑄錠工藝對(duì)晶核初期成長(zhǎng)控制過程要求很高。一種方法是使用底部開槽的坩堝。這種方式的要點(diǎn)是精密控制定向凝固時(shí)的溫度梯度和晶體生長(zhǎng)速度來提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷卻速度決定了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。因?yàn)樾枰刂频膮?shù)太多，無籽晶鑄錠工藝顯得尤為困難。其要點(diǎn)是精密控制定向凝固時(shí)的溫度梯度和晶體生長(zhǎng)速度來提高多晶晶粒的尺寸大小，形成所謂的準(zhǔn)單晶。這種準(zhǔn)單晶硅片的晶界數(shù)量遠(yuǎn)小于普通的多晶硅片。無籽晶的單晶鑄錠技術(shù)難點(diǎn)在于控溫。

　　（2）有籽晶鑄錠。當(dāng)下量產(chǎn)的準(zhǔn)單晶技術(shù)大部分為有籽晶鑄錠。這種技術(shù)先把籽晶、硅料摻雜元素放置在坩堝中，籽晶一般位于坩堝底部，再加熱融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降溫，調(diào)節(jié)固液相的溫度梯度，確保單晶從籽晶位置開始生長(zhǎng)。這種技術(shù)的難點(diǎn)在于確保在熔化硅料階段，籽晶不被完全融化，還有控制好溫度梯度的分布，這個(gè)是提高晶體生長(zhǎng)速度和晶體質(zhì)量的關(guān)鍵。

　　三，準(zhǔn)單晶產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)

　　1.轉(zhuǎn)換效率高于普通多晶，接近直拉單晶電池片。

　　2.與普通多晶電池片相比LID 基本無變化，性能穩(wěn)定。

　　3.比起普通多晶，組件功率提升明顯，單位成本降低。

　　4.可封裝250 瓦（60 片排布），或300 瓦（72 片排布）的大組件。

　　5.適用于對(duì)安裝面積有限制要求的特殊場(chǎng)合。

　　單晶硅電池雖然具備晶體缺陷少、織結(jié)構(gòu)工藝下反射率低、機(jī)械強(qiáng)度高等優(yōu)勢(shì)，但其成本較高、光衰嚴(yán)重、電耗也高。多晶硅電池較單晶硅電池相比能耗少、衰減低、成本低，不過轉(zhuǎn)換效率較差。直拉單晶和準(zhǔn)單晶鑄錠對(duì)比：

　　1.直拉單晶方法生產(chǎn)的單晶硅制造的太陽(yáng)能電池最高轉(zhuǎn)換效率為18.5%，采用準(zhǔn)單晶鑄錠生產(chǎn)的硅材料所制造的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率為18.3%；

　　2.直拉單晶硅每爐的投料約為100 公斤，準(zhǔn)單晶硅鑄錠爐的單次投料達(dá)到430 公斤，投料量增加為前者的四倍；

　　3.基于直拉單晶硅材料生產(chǎn)的電池片的衰減率為2%以上，基于準(zhǔn)單晶鑄錠所生產(chǎn)的電池片衰減率降低至0.5%以下，并且性能更穩(wěn)定；