光伏板中的單晶硅與多晶硅有區(qū)別，具體如下：

結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同。單晶硅片由單一晶體生長(zhǎng)而成，具有完整的晶格結(jié)構(gòu)和無(wú)缺陷的結(jié)晶性質(zhì)。多晶硅片由許多晶粒組成，晶粒之間存在晶界和缺陷。

成本不同。單晶硅片的制備成本較高，需要精確控制生長(zhǎng)條件以獲得單一晶體。多晶硅片的制備成本相對(duì)較低，因?yàn)槎嗑Ч璧纳L(zhǎng)速度快，適合大規(guī)模生產(chǎn)。

電子性能不同。單晶硅片具有更高的結(jié)晶質(zhì)量和無(wú)晶界缺陷，它的載流子遷移率較高、電阻較低，適用于制造高性能的半導(dǎo)體器件。多晶硅片則因?yàn)榫ЯＶg存在晶界和缺陷，所以電子性能較弱。

應(yīng)用領(lǐng)域不同。單晶硅片在光學(xué)和光電子器件中具有廣泛應(yīng)用。多晶硅片主要應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、集成電路封裝、光電子器件等領(lǐng)域。