一、多晶硅太陽能板，電子束蒸發(fā)和電鍍

一般，使用正膠剝離工藝，蒸鍍Ti/Pa/Ag多層金屬電極，要減小金屬電極所引起的串聯(lián)電阻，往往需要金屬層比較厚（8～10微米）。缺點(diǎn)是電子束蒸發(fā)造成硅外表/鈍化層介面損害，使外表復(fù)合進(jìn)步，因而，工藝中，選用短時蒸發(fā)Ti/Pa層，在蒸發(fā)銀層的工藝。

另一個問題是金屬與硅接觸面較大時，必將導(dǎo)致少子復(fù)合速度進(jìn)步。工藝中，選用了隧道結(jié)接觸的辦法，在硅和金屬成間構(gòu)成一個較薄的氧化層（一般厚度為20微米左右）應(yīng)刻苦函數(shù)較低的金屬(如鈦等)可在硅外表感應(yīng)一個穩(wěn)定的電子積累層(也可引入固定正電荷加深反型)。

另外一種辦法是在鈍化層上開出小窗口（小于2微米），再淀積較寬的金屬柵線（一般為10微米），構(gòu)成mushroom-like狀電極，用該辦法在100px2 Mc-Si上電池的轉(zhuǎn)化功率到達(dá)17.3％。

二、多晶硅太陽能板，PN結(jié)的構(gòu)成技能

1、發(fā)射區(qū)構(gòu)成和磷吸雜 : 關(guān)于高效太陽能電池，發(fā)射區(qū)的構(gòu)成一般選用選擇分散，在金屬電極下方構(gòu)成重雜質(zhì)區(qū)域而在電極間完結(jié)淺濃度分散，發(fā)射區(qū)的淺濃度分散即增強(qiáng)了電池對藍(lán)光的響應(yīng)，又使硅外表易于鈍化。分散的辦法有兩步分散工藝、分散加腐蝕工藝和埋葬分散工藝。目前選用選擇分散，15×375px2電池轉(zhuǎn)化功率到達(dá)16.4%，n++、n+區(qū)域的外表方塊電阻分別為20Ω和80Ω。

關(guān)于Mc-Si資料，擴(kuò)磷吸雜對電池的影響得到廣泛的研討，較長時刻的磷吸雜進(jìn)程（一般3～4小時），可使一些Mc-Si的少子分散長度進(jìn)步兩個數(shù)量級。在對襯底濃度對吸雜效應(yīng)的研討中發(fā)現(xiàn)，即使對高濃度的襯第資料，經(jīng)吸雜也可以取得較大的少子分散長度（大于200微米），電池的開路電壓大于638mv, 轉(zhuǎn)化功率超越17％。單晶太陽能電池板

2、背外表場的構(gòu)成及鋁吸雜技能 : 在Mc-Si電池中，背p+p結(jié)由均勻分散鋁或硼構(gòu)成，硼源一般為BN、Bp、APCVD SiO2：B2O8等，鋁分散為蒸發(fā)或絲網(wǎng)印刷鋁，800度下燒結(jié)所完結(jié)，對鋁吸雜的作用也開展了大量的研討，與磷分散吸雜不同，鋁吸雜在相對較低的溫度下進(jìn)行。其中體缺點(diǎn)也參加了雜質(zhì)的溶解和沉積，而在較高溫度下，沉積的雜質(zhì)易于溶解進(jìn)入硅中，對Mc-Si發(fā)生晦氣的影響。到目前為至，區(qū)域背場已使用于單晶硅電池工藝中，但在多晶硅中，仍是使用全鋁背外表場結(jié)構(gòu)。

3、雙面Mc-Si電池 : Mc-Si雙面電池其正面為慣例結(jié)構(gòu)，反面為N＋和P＋相互穿插的結(jié)構(gòu)，這樣，正面光照發(fā)生的但位于反面鄰近的光生少子可由背電極有用吸收。背電極作為對正面電極的有用補(bǔ)充，也作為一個獨(dú)立的栽流子收集器對反面光照和散射光發(fā)生作用。

三、多晶硅太陽能板，外表和體鈍化技能

關(guān)于Mc-Si，因存在較高的晶界、點(diǎn)缺點(diǎn)（空位、填隙原子、金屬雜質(zhì)、氧、氮及他們的復(fù)合物）對資料外表和體內(nèi)缺點(diǎn)的鈍化尤為重要，除前面說到的吸雜技能外，鈍化工藝有多種辦法，通過熱氧化使硅懸掛鍵飽滿是一種比較常用的辦法，可使Si-SiO2界面的復(fù)合速度大大下降，其鈍化作用取決于發(fā)射區(qū)的外表濃度、界面態(tài)密度和電子、空穴的浮獲截面。在氫氣氛中退火可使鈍化作用更加顯著。選用PECVD淀積氮化硅近期正面十分有用，由于在成膜的進(jìn)程中具有加氫的作用。該工藝也可使用于規(guī)模化出產(chǎn)中。太陽能板

四、多晶硅太陽能板，工業(yè)化電池工藝

太陽電池從研討室走向工廠，試驗(yàn)研討走向規(guī)模化出產(chǎn)是其發(fā)展的道路，所以可以到達(dá)工業(yè)化出產(chǎn)的特征應(yīng)該是：

（1）電池的制造工藝可以滿足流水線作業(yè)；

（2）可以大規(guī)模、現(xiàn)代化出產(chǎn)；

（3）到達(dá)高效、低成本。當(dāng)然，其主要目標(biāo)是降低太陽電池的出產(chǎn)成本。

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